Günəş panelinin istehsal prosesi(2)

(5) Periferik aşındırma( günəş paneli): diffuziya zamanı silikon vaflinin periferik səthində əmələ gələn diffuziya təbəqəsi akkumulyatorun yuxarı və aşağı elektrodlarını qısa qapanacaq. Periferik diffuziya təbəqəsi nəm aşındırma və ya plazma quru aşındırma ilə maskalanaraq silinməlidir.

(6) Arxa PN qovşağını çıxarın(günəş paneli). Arxa PN qovşağını çıxarmaq üçün adətən yaş aşındırma və ya daşlama üsulu istifadə olunur.

(7) Üst və alt elektrodların hazırlanması(günəş paneli): vakuum buxarlanma, elektriksiz nikel örtük və ya alüminium pasta çapı və sinterləmə istifadə olunur. Əvvəlcə aşağı elektrod, sonra isə yuxarı elektrod hazırlanır. Alüminium pastası çapı geniş istifadə olunan bir proses üsuludur.

(8) Yansıtma əleyhinə filmin hazırlanması(günəş paneli): giriş əks etdirmə itkisini azaltmaq üçün silisium vaflinin səthi əks əks etdirən film təbəqəsi ilə örtülməlidir. Antireflection film hazırlamaq üçün materiallar MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5 və s. daxildir. Proses üsulları vakuum örtük üsulu, ion örtük üsulu, püskürtmə üsulu, çap üsulu, PECVD üsulu və ya çiləmə üsulu ola bilər.

(9) Sinterləmə: batareya çipi nikel və ya misdən hazırlanmış əsas lövhədə sinterlənir.

(10) Test təsnifatı: müəyyən edilmiş parametrlərə və spesifikasiyalara uyğun olaraq sınaq təsnifatı.